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ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
2025-03-07
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英飞凌 CoolGaN™ 功率晶体管赋能SounDigital放大器，更小尺寸、更高保真
2025-03-03
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英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度
2025-02-20
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意法半导体推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET
2024-11-29
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英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
2024-11-20
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ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
2024-11-12
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ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT
2024-11-10
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英飞凌推出超高电流密度功率模块，助力高性能AI计算
2024-11-05
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意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制
2024-09-29
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安森美发布升级版功率模块，助力太阳能发电和储能的发展
2024-08-28
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英飞凌推出PSOC™ Control MCU系列，用于工业和消费应用的电机控制与功率转换
2024-08-13
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英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
2024-07-09
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英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense，提高功率系统的性能和成本效益
2024-07-09
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英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
2024-06-13
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英飞凌推出新型MOTIX™电机栅极驱动器IC，轻松从12 V系统迁移至48 V系统，并充分满足功能安全要求
2024-05-11
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