Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计

日期:2023-01-30

 
节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%,有助于减少元器件数量并简化设计
 
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海2023130 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DTSiZF5302DT,将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DTSiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并简化设计。
 
日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件,节省50%基板空间,同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点(POL)转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中,SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果,特别是在1 A到4 A电流条件下。而SiZF5300DT则是12 A到15 A重载的理想解决方案。
 
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 mW和2.93 mW,SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 mW和4.4 mW。两款MOSFET 4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM),比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频开关应用效率提高2%,100 W能效达到98%。
 
与前代解决方案对比
技术规格 / 器件编号 SiZF5302DT
(Gen V)
前代解决方案
(Gen IV)
SiZF5302DT对比前代解决方案
封装 PowerPAIR 3x3FS PowerPAIR 6x5F 63 %
VDS (V) 30 30 -
RDS(ON) 典型值
@ 4.5 V (mW)
4.4 (通道1)
4.4 (通道2)
4.0 (通道1)
1.2 (通道2)
-
Qg @ 4.5 V (nC) 6.7 (通道1)
6.7 (通道2)
11 (通道1)
46 (通道2)
-
FOM (mΩ*nC) 29 (通道1)
29 (通道2)
44 (通道1)
54 (通道2)
35 %
46 %
能效
@ 20 VIN / 12.5 VOUT /
800 kHZ / 100 W
98 % 96 % 2 %
 
器件采用倒装芯片技术增强散热能力,独特的引脚配置有助于简化PCB布局,支持缩短开关回路,从而减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
 
器件规格表:
产品编号 SiZF5300DT SiZF5302DT
VDS (V) 30 30
VGS (V) + 16 / -12 + 16 / -12
RDS(on) 典型值 (mΩ) @ 10 V 2.02 2.7
4.5 V 2.93 4.4
Qg (典型值) @ 4.5 V (nC) 9.5 6.7
ID (A) @ TA = 25 °C 125 100
TA = 70 °C 100 80
 
SiZF5300DT和SiZF5302DT 现可提供样品并已量产。供货周期信息请与Vishay销售代表联系或发送电子邮件至 pmostechsupport@vishay.com
 
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com
 
The DNA of techÔ 是Vishay Intertechnology的商标。TrenchFET、PowerPAIR和PowerPAK是Siliconix公司的注册商标。

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