—TCK42xG系列支持外部N沟道MOSFET的背对背连接—
 
中国上海，2022年2月9日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动IC中的首款产品---“TCK421G”。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压（基于输入电压），同时具备过压锁定功能。新产品于今日开始支持批量出货。
 

 
通过与背对背连接的外部N沟道MOSFET相配合，TCK421G适用于配置具有反向电流阻断功能的电源多路复用器电路或负载开关电路。它内置电荷泵电路，支持2.7V至28V的宽输入电压范围，经过间歇操作，为外部MOSFET的栅极-源极电压提供稳定电压。这种方式允许大电流的切换。
 
TCK421G采用WCSP6G^[1]封装，是行业最小的封装之一^[2]。这便于TCK421G在可穿戴设备和智能手机等小型设备上实现高密度贴装，从而缩小上述设备的尺寸。
 
东芝将继续开发TCK42xG系列，并计划推出总共六款产品。TCK42xG系列的过压锁定将支持5V至24V的输入电压。可提供5.6V和10V两种类型的栅极输出电压，用于外部MOSFET中不同的栅源电压。过压锁定和栅极输出电压可以根据用户具体设备进行选择。
 

• 应用：

-     可穿戴设备
-     智能手机
-     笔记本电脑、平板电脑
-     存储设备等
 

• 新产品系列特性：

-     内置电荷泵电路，栅极-源极电压（5.6V、10V）取决于输入电压
-     过压锁定支持5V至24V
-     低输入关断电流：当VIN=5V，Ta＝-40℃至85℃时，IQ(OFF)＝0.5μA（最大值）
 

• 主要规格：

 
（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号			TCK421G
封装	名称		WCSP6G
	尺寸（mm）		1.2×0.8（典型值） 厚度＝0.35（最大值）
工作范围	输入电压VIN（V）	当Ta＝-40℃至85℃时	2.7至28
电气特性	VIN UVLO阈值，Vout下降 VIN_UVLO典型值／最大值（V）	当Ta＝-40℃至85℃时，VIN_UVLO最大值	2.0／2.5
	VIN UVLO滞后 VIN_UVhyst典型值（V）	–	0.2
	VIN OVLO阈值， Vout下降 VIN_OVLO最小值／最大值（V）	当Ta＝-40℃至85℃时	22.34／24.05
	VIN OVLO滞后 VIN_OVhyst典型值（V）	–	0.12
	输入静态电流 （通态）[3] IQ(ON)典型值（μA）	当VIN＝5V时	140
		当VIN＝12V时	185
	待机电流（关断） IQ(OFF)最大值（μA）	当VIN＝5V，Ta＝-40℃至85℃时	0.5
		当VIN＝12V，Ta＝-40℃至85℃时	0.9
	栅极驱动电压 （VGATE1-VIN） （VGATE2-VIN） VGS最小值／典型值／最大值（V）	当VIN＝2.7V时	8／9.2／10
		当VIN＝5V时	9／10／11
		当VIN＝9V时	9／10／11
		当VIN＝12V时	9／10／11
		当VIN＝20V时	9／10／11
	VGS导通时间 tON典型值（ms）	当VIN＝5V时， CGATE1,2＝4000pF	2.9
	VGS关断时间 tOFF典型值（μs）	VIN＝5V， 当CGATE1,2＝4000pF时	52
	OVLO VGS关断时间 tOVP典型值（μs）	当CGATE1,2＝4000pF时	34
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注：
[1] 1.2mm×0.8mm
[2] 在MOSFET栅极驱动IC中。截至2022年2月的东芝调查。
[3] 不含控制端电流（ICT）。
 
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TCK421G
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TCK42xG系列
https://toshiba-semicon-storage.com/parametric?region=apc&lang=zh_cn&code=param_616&p=50&i=1&sort=0,asc&cc=0d,1d,39d,31h,3d,22d,23d,24d,30d,25d,5d,6d,7d,40d,41d,26d,42d,8d,9d,10d,11d,12d,13d,14d,27d,28d,15d,17d,29d,32h,33h,34h,35h,36h,37h,38h&ci=TCK421G
 
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TCK421G
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
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