作为领先的垂直整合制造商(IDM),英飞凌在 300mm氮化镓生产路线图方面取得突破

日期:2025-07-03
202573,德国慕尼黑讯】随着氮化镓(GaN,以下同)半导体需求的持续增长,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正抓住这一趋势,巩固其作为GaN市场领先垂直整合制造商(IDM,以下同)的地位。近日,公司宣布其在 300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨。随着首批样品将于2025年第四季度向客户提供,英飞凌有望扩大客户群体,并进一步巩固其作为领先氮化镓巨头的地位。
 

英飞凌300mm GaN技术
 
作为功率系统领域的领导者,英飞凌已经掌握全部三种材料的相关技术:硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。凭借更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗,氮化镓半导体可实现更紧凑的设计,从而减少智能手机充电器、工业和人形机器人,以及太阳能逆变器等电子设备的能耗和热量产生。
 
英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示:“英飞凌全面扩大的300mm GaN生产规模将帮助我们更快地为客户提供更高价值的产品,同时推动实现Si和GaN同类产品的成本持平。在英飞凌宣布突破300mm GaN晶圆技术近一年后,我们很高兴看到我们的过渡进程进展顺利,并且业界已经认识到英飞凌GaN技术在我们的IDM战略优势下所发挥的重要作用。”
 
英飞凌的生产策略主要以 IDM 模式为主,即拥有从设计到制造和销售最终产品的整个半导体生产流程。公司的内部生产策略是市场上的一个关键差异化因素,具有多重优势,如能提供更高质量的产品、更快的产品上市时间以及出色的设计和开发灵活性。英飞凌致力于为氮化镓客户提供支持,并可扩大产能以满足他们对可靠的GaN电源解决方案的需求。
 
凭借其技术领先优势,英飞凌已成为首家在现有大批量生产基础设施内成功开发出300mm GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与现有的 200mm晶圆相比,300mm晶圆上的芯片生产在技术上更加先进,效率也显著提高,因为更大的晶圆直径可使芯片生产效率提高 2.3 倍。这些增强的能力,加上英飞凌强大的GaN专家团队,以及业界最广泛的知识产权组合,恰好可以满足基于GaN的功率半导体在工业、汽车、消费、计算和通信等领域快速普及,包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统等。
 
市场分析师预测,到2030年,GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长,达到约25亿美元[1]。英飞凌拥有专门的生产能力和强大的产品组合,去年发布了40多款新型GaN产品,这使其成为寻求高质量GaN解决方案客户的首选合作伙伴。
 
[1] Yole Group《功率碳化硅和氮化镓化合物半导体市场监测,2025 年第二季度》
 
 
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,060名员工(截至2024年9月底),在2024财年(截至9月30日)的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。
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英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
 

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