2024 年 6 月 7 日
 
英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效氮化镓（GaN） 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克股票代码：QRVO）合作开发 GaN 在电机控制应用中的参考设计和评估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）应用中的使用，打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo在为其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 电机控制器和驱动器设计的 EVK 中采用了 CGD的ICeGaN™ （IC 增强型 GaN）技术。
 

 

Giorgia longobardi | CGD 首席执行官 “与其他同行提供的 GaN 性能不同，我们提供的 ICeGaN HEMT 提供了接口电路，没有集成控制器；因此通过与高度集成的电机控制器和驱动 IC 进行简单的结合，ICeGaN 就可以由例如 Qorvo 的 PAC5556A 600 V高性能 BLDC/PMSM 电机控制器和驱动器的驱动器轻松驱动。我们很高兴与 Qorvo 合作，使其电机控制器和驱动器应用尽享 GaN 带来的益处。”

 

JEff Strang | Qorvo功率管理事业部总经理

 
GaN 带来的多种益处包括：更低的损耗，从而带来更高的效率，进而增加了功率可用性和产生更少的热量。这减少了对复杂、庞大和昂贵的热管理解决方案的需求，从而产生更小、更强大、寿命更长的系统。GaN 还可以在低速时提供更高的扭矩，因此可以实现更精确的控制。此外，GaN 可实现高速开关，这可以减少可听噪声，这对于吊扇、热泵和冰箱等家电尤其重要。
 
除了易用性之外，与其他 GaN 器件相比，ICeGaN 还提供了以下几个显著的优点。ICeGaN 的栅极驱动电压与 IGBT 兼容。由于 ICeGaN 在 GaN IC 内集成了米勒箝位，所以不需要负关断电压，并且可以使用低成本的电流驱动器。最后，ICeGaN 内嵌电流感测功能，简化了电路设计并减少了物料清单（BOM）。
 
参考设计现已上市，EVK RD5556GaN 将在今年第3季度上市。该产品将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举行的 PCIM 展览上首次公开展示。CGD的展位号为7-643。Qorvo展位号为7-406。
 
结语
 
关于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发与商业化，以实现能效和紧凑性的突破性飞跃。我们的使命是通过提供易于实现的高能效 GaN 解决方案，将创新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技术经证明适合大批量生产，并且 CGD 正在与制造合作伙伴和客户携手加快扩大规模。CGD 是一家无晶圆厂企业，孵化自剑桥大学。公司首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍与世界知名的剑桥大学高压微电子和传感器研究组 (HVMS) 保持着紧密联系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技术背后有不断扩充的强大知识产权组合做支撑，这也是公司努力创新的结晶。CGD 团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现，为其专有技术在市场上的认可程度奠定了坚实的基础。欲了解更多信息，请访问 https://camgandevices.com/zh/。