作者：Kevin Parmenter，应用工程主管，Taiwan Semiconductor


70年代我刚进入电力电子行业时，器件的选择是有限的。我们正在从硅双极晶体管和初级整流器向MOSFET和更好的整流器转变。表面贴装技术和与功率器件和/或驱动器一起封装的集成电路是闻所未闻的，使用WBG（宽带隙）器件是一个理论梦想。我记得通过翻阅数据库和打电话给经销商来寻找样品零件，看看他们在当地可能有什么库存，然后要开车去提货，或者等待几个星期才能交货。如今，设计师们可以选择比20年或30年前想象的更多的功率器件。
现在我们有硅MOSFET。我们有IGBT，硅和碳化硅MOSFET，我们有GaN（氮化镓）器件在应用中得到应用。整流器比以往任何时候都好得多，包括了大量的技术：标准、快速、快、超快、高效、肖特基和沟道肖特基器件。我们也有碳化硅整流器，主要用于功率因数校正（PFC）升压级，并且应用正在扩大。
封装也已经演变成几乎和器件本身一样重要，或者同等重要。封装不仅在整体尺寸上，而且在高度上都在不断改进。在90年代早期，当表面贴装（SMA、SMB、SMC）封装被引入时，没有人想到它们会被改进。但在这里，我们是用薄SMA封装主流来降低产品的高度/厚度。我们也有SOD128和其他替代产品等封装，提高了功率密度。这些较新的器件不仅产生更少的热量，在应用中具有更高的效率，它们还能够通过在封装中使用热分散器更快地将热量转移到PCB中，从而使终端应用能够在不增加成本的情况下增加功率密度。
不久前，就的联合封装还真是闻所未闻。现在，我们不仅有更好的功率半导体和更好的分立封装（或不封装，只是片芯），我们还拥有功能集成块的器件组合，包括控制器或驱动器功率器件分区使用外部控制器。我们还有完整的功率级：只需添加缺少的模块，您就可以处理电源了。换言之，设计师可以添加一些外部器件，使用在线工具进行设计，他们有一个完全工作的功率转换器，与去年相比相对容易。
在DC-DC领域，集成负载点（POL）器件，连同集成磁性元件是可用的，并且具有成本效益。尽管我们可以获得不久前科幻小说中出现的设计器件，但有些东西的预测是错误的。例如，通孔器件和小信号半导体的消亡。他们仍然每天用于新的设计，并将与我们一起很长一段时间。
在器件和封装选项方面，下一步是什么？如果过去是序幕，我会说可能性是无穷的。
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