宜普电源转换公司推出专为大电流及具高降压比转换器应用而设的开发板

日期:2014-04-25

 
EPC9016开发板内含40 V增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),是一种25 A最大输出电流并采用并联配置的电路设计,可提高电流能力达67%,其最优版图技术可实现最优化效率。
 
宜普电源转换公司宣布推出EPC9016采用半桥式配置的开发板,专为采用氮化镓场效应晶体管的大电流、高降压比、降压中间总线转换器(IBC)应用而设。与采用单一高侧(控制)场效应晶体管相比,我们并联了两个低侧(同步整流器)场效应晶体管使得传导时间更长。
 
与硅MOSFET器件相比,氮化镓场效应晶体管具备超卓的电流共享功能,为理想的可并联工作的晶体管。这块开发板在最优版图上进一步发挥采用超低电感封装的氮化镓场效应晶体管的性能。这种最优版图技术提高了效率并同时降低电压过冲及EMI。
 
EPC9016 开发板的最高电压为40 V、最大输出电流为25 A,使用半桥配置、配以EPC2015 氮化镓晶体管及板载栅极驱动器(LM5113)。该半桥配置含单一顶部器件及两个并联的底部器件,建议用于具有高降压比例的降压转换器应用包括负载点转换器及给非隔离型通信基建使用的降压转换器应用。
 
EPC9016 开发板是块2英寸x1.5英寸单板,板上集成了所有关键元件及配以最优版图以实现最优开关性能。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形及计算效率。
 
随EPC9016开发板一起提供的还有一份供用户参考和易于使用的速查指南,内载有详细资料。
 
EPC9016开发板的单价为130美元,客户可以透过DigiKey公司在网上直接购买,网址为http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion
 
 
 
氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持
 
·     关于EPC2015及所有宜普氮化镓器件的数据表,可在这个网页下载:http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs.aspx
 
·   关于开发板及其它设计支持的资料:http://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards.aspx 
 
·   关于给所有氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的器件模型:http://epc-co.com/epc/DesignSupport/DeviceModels.aspx
 
·   关于应用笔记及支持您的设计的资料,可在氮化镓图书馆下载:
http://epc-co.com/epc/GaNLibrary.aspx
 
宜普电源转换公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括直流-直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请访问我们的网站www.epc-co.com.cn
客户可以在我们的网页注册(http://bit.ly/EPCupdates),定期收取EPC公司的最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

订阅我们的通讯!

电子邮件地址