Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,适用于移动设备和消费电子

日期:2017-04-25

 
器件具有37.8A的连续漏极电流,导通电阻低至8.4mΩ,采用小尺寸PowerPAK® SC-70封装
 
宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK® SC-70封装,是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm x 2mm塑料封装的30V器件。
 
今天发布的MOSFET是目前尺寸最小的30V产品之一,比PowerPAK 1212封装的器件小60%,在笔记本电脑、平板电脑、VR头盔和DC-DC砖式电源,无线充电器中的H桥,以及无人机的电机驱动控制中,可用于DC/DC转换和电池管理的负载切换。
 
SiA468DJ在10V和4.5V下具有8.4mΩ和11.4mΩ的极低导通电阻,在这些应用中能减小传导损耗,提高效率。其导通电阻比前一代产品低51%,比最接近的竞争产品低6%。另外,MOSFET的优值系数 (FOM) 针对各种功率转换拓扑进行了优化。
 
SiA468DJ的连续漏极电流高达37.8A,比前一代器件高68%,比最接近的竞争产品高50%。高漏极电流为会碰到高瞬变电流的应用产品提供了足够的安全余量。MOSFET进行了100%的RG测试,符合RoHS,无卤素。
 
SiA468DJ现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十三周。
 
资源:
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VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com
TrenchFET®PowerPAK®Siliconix incorporated的注册商标。

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