ROHM通过SiC技术发力Formula E

日期:2017-03-05

 

 
在香港新的2016/2017 Formula E的第一场比赛中,ROHM半导体展示了其尖端碳化硅(SiC)技术。从第三赛季开始,领先的日本半导体制造商开始赞助并正式与Venturi Formula E车队合作。ROHM和Formula E的Venturi之间令人兴奋的合作突显了全电动赛车系列–电源管理成功的关键。
Formula E的挑战是找到使用电池提供能量的最有效的方式,并将其应用在道路上。为此,ROHM采用了碳化硅功率器件的新技术。这种材料可以比传统硅承受更高的电场,这会导致非常低的功耗和更高的耐温性。因此,ROHM和Venturi希望获得竞争上的优势,同时也推动新技术解决方案的开发,以提高功率转换效率。
第三赛季的逆变器采用嵌入式碳化硅肖特基二极管,使它比第二赛季的逆变器轻了2公斤。电效率增加了1.7%,而热提取组件的体积减少了30%。但这只是一个开始。在第四赛季,SiC MOSFET集成逆变器预计将带来更大幅度的改善。
ROHM在2010年于世界首家开始量产SiC-MOSFET,作为SiC功率元器件的领先企业,进行着世界最先进的开发。在汽车领域中,于快速充电用的车载充电器方面已经拥有了压倒性的市场份额,在电动汽车的马达和逆变器方面的采用也在加速。
作为电动汽车的崭新舞台,全世界的赛车迷都为电动方程式赛车的魅力所倾倒。其于以往的汽车竞赛有很大不同的地方是电源管理能力的重要性,如何更高效地使用储存在蓄电池内的电力将左右着最终的胜负。
ROHM董事东克己表示,“非常高兴看到我们的技术为电动方程式赛车作出了贡献。我们希望在赛道上证明我们产品的质量和效率。在今后几年,相信SiC功率元器件将会越来越多地被运用在混合动力和纯电动车辆中。我们希望能通过在多种产业乃至社会更广泛的领域实现更具经济性的技术,在能源政策改革中扮演重要的角色。”
在汽车行业,越来越多的电动汽车和逆变器使用SiC运行,ROHM已经在车载充电器快速充电方面占有压倒性的市场份额。ROHM也是系统LSI行业的领导者,有很大的AEC-Q认证ASIC、ASSP产品阵容,包括为发动机控制单元(ECU)优化的LED驱动器、电机驱动器和栅极驱动器,以及标准分立元件,如晶体管、二极管和一般集成电路。将SiC技术引入Formula E和电动汽车是改变驱动器技术的重要一步。
 
ROHM Formula E (micro.rohm.com/en/formulae)

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