将ADuM4135栅极驱动器与Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模块配合使用

日期:2019-08-13
 
作者:Martin Murnane   ADI公司
 
简介
绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案,如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围:直流至100 kHz。IGBT可以是单一器件,甚至是半桥器件,如为图1所示设计选择的。
本应用笔记所述设计中的APTGT75A120 IGBT是快速沟槽器件,采用Microsemi Corporation®专有的视场光阑IGBT技术。该IGBT器件还具有低拖尾电流、高达20 kHz的开关频率,以及由于对称设计,具有低杂散电感的软恢复并联二极管。选定IGBT模块的高集成度可在高频率下提供最优性能,并具有较低的结至外壳热阻。
使用ADI公司的栅极驱动技术驱动IGBT。ADuM4135栅极驱动器是一款单通道器件,在>25 V的工作电压下(VDD至VSS),典型驱动能力为7 A源电流和灌电流。该器件具有最小100 kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI)。ADuM4135可以提供高达30 V的正向电源,因此,±15 V电源足以满足此应用。

1.ADuM4135栅极驱动器模块
 
测试设置
 
电气设置
系统测试电路的电气设置如图2所示。直流电压施加于半桥两端的输入,900 µF (C1)的解耦电容添加到输入级。输出级为200 µH (L1)和50 µF (C2)的电感电容(LC)滤波器级,对输出进行滤波,传送到2 Ω至30 Ω的负载(R1)。表1详述了测试设置功率器件。U1是用于HV+和HV−的直流电源,T1和T2是单个IGBT模块。
完整电气设置如图3所示,表2详细列出了测试中使用的设备。
 

2.系统测试电路的电气设置
1.测试设置功率器件
 
设备
IGBT模块,T1,T2 APTGT75A120T1G1
U1 200 V至900 V
电容C1 900 μF
电感L1 200 μH
电容C2 50 μF
负载电阻R1 2 Ω至30 Ω
 
2.完整设置设备
设备 制造厂商 产品型号
示波器 Agilent DSO-X 3024A,200 MHz
直流电源 Delta Elektronika SN660-AR-11(两个串行)
栅极驱动器板 WATT&WELL ADUM4135-WW-MS-02 SN001
波形发生器 Agilent 33522A
电流探针 Hioki 3275
电流探针 Hioki 3276
无源电压探针 Keysight N2873A,500 MHz
无源高电压探针 Elditest GE3421,100 MHz
高压差分探针 Tektronix P5200
高压差分探针 Testec TT-SI 9110
热摄像头 Optris PI 160


3.栅极驱动器配电板测试的连接图
 
测试结果
 
无负载测试
在无负载测试设置中,在模块输出端汲取低输出电流。在此应用中,使用一个30 Ω的电阻。
表3显示无负载的电气测试设置的重要元件,且负载内的电流低。表4显示在模块上观察到的温度。表3和表4总结了所观察到的结果。图5至图10显示各种电压和开关频率上的开关波形的测试结果。
如表3中所示,测试1和测试2在600 V电压下执行。测试1在10 kHz开关频率下执行,测试2在20 kHz开关频率下执行。测试3在900 V电压下执行,开关频率为10 kHz。
图4显示无负载测试的电气设置。

4.无负载测试的电气设置
3.无负载测试,对应插图
测试 直流电压,VDC1(V) 开关频率,fSW(kHz) 占空比(%) IIN2 (A) 参考图
1 600 10 50 0.007 图5和图6
2 600 20 50 0.013 图7和图8
3 900 10 50 0.009 图9和图10
 
1      VDC是HV+和HV−电压。
2      IIN表示通过U1的输入电流。
4.无负载测试,温度总结1
测试 VDC (V) fSW (kHz) 温度 DC-DC电源温度 栅极驱动器温度
环境(°C) 散热器(°C) 高边(°C)2 低边(°C)2 高边(°C) 低边(°C)
1 600 10 26 30.8 34 34 38.2 37.6
2 600 20 26 31 35 35 39.5 39.4
3 900 10 26 31 34.2 34.2 38.6 37.7
1      所有温度都通过热摄像头记录。
2      从变压器测得。
 
开关IGBT的性能图
此部分测试结果显示不同目标电压下的开关波形,其中fSW = 10 kHz和20 kHz。VDS是漏极-源极电压,VGS是栅极-源极电压。
5.VDC = 600 VfSW = 10 kHz,无负载 8.VDC = 600 VfSW = 20 kHz,无负载
   
6.VDC = 600 VfSW = 10 kHz,无负载 9.VDC = 900 VfSW = 10 kHz,无负载
   
7.VDC = 600 VfSW = 20 kHz,无负载 10.VDC = 900 VfSW = 10 kHz,无负载
 
负载测试
测试配置类似于图2所示的测试设置。表5总结了观察到的结果,图11至图16显示各种电压、频率和负载下的测试性能和结果。
测试4在200 V、10 kHz开关频率下执行,占空比为25%。测试5在600 V、10 kHz开关频率下执行,占空比为25%。测试6在900 V、10 kHz开关频率下执行,占空比为25%。
5.负载测试
测试 VDC (V) fSW (kHz) 占空比(%) IOUT1 (A) VOUT2 (V) POUT3 (W) IIN (A) 参考图
4 200 10 25 1.8 49.3 90.2 0.55 11和图13
5 600 10 25 5.4 146.5 791.1 1.62 12和图14
6 900 10 25 7.8 214 1669.2 2.5 15和图16
 
1      IOUT是负载电阻R1中的输出电流。
2      VOUT是R1两端的输出电压。
3      POUT是输出功率(IOUT × VOUT)。
 
开关IGBT的性能图和无负载测试
此部分测试结果显示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目标电压下的开关波形。
 
11.VDC = 200 VfSW = 10 kHzPOUT = 90.2 W 14.VDC = 600 VfSW = 10 kHzPOUT = 791.1 W
   
12.VDC = 600 VfSW = 10 kHzPOUT = 791.1 W 15.VDC = 900 VfSW = 10 kHzPOUT 1669.2 W
   
13.VDC = 200 VfSW = 10 kHzPOUT = 90.2 W 16.VDC = 900 VfSW = 10 kHzPOUT 1669.2 W
 
高电流测试
测试配置类似于图3中所示的物理设置。表6总结了观察到的结果,图17至图20显示各种电压、频率和负载下的测试性能和结果。
输出负载电阻视各个测试而异,如表1所示,其中2 Ω到30 Ω负载用于改变电流。测量VOUT,也就是R1两端的电压。
测试7在300 V、10 kHz开关频率下执行,占空比为25%。测试8在400 V、10 kHz开关频率下执行,占空比为25%。
6.高电流测试
测试 VDC (V) fSW (kHz) 占空比(%) IOUT (A) VOUT (V) PIN1 (W) IIN (A) 参考图
7 300 10 25 19.6 68.7 1346.3 5 17和图19
8 400 10 25 25.8 91.7 2365.9 6.6 18和图20
1      PIN是输入电源(IIN × VIN),其中VIN是直流电源电压。
 
开关IGBT的性能图和负载测试
此部分测试结果显示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目标电压下的开关波形。
 
17.VDC = 300 VfSW = 10 kHzPOUT = 1346.3 W 19.VDC = 300 VfSW = 10 kHzPOUT = 1346.3 W
   
18.VDC = 400 VfSW = 10 kHzPOUT = 2365.9 W 20.VDC = 400 VfSW = 10 kHzPOUT = 2365.9 W
 
去饱和测试
系统测试电路的电气设置如图21所示。直流电压施加于半桥两端的输入,900 µF的解耦电容添加到输入级。此设置用于测试去饱和检测。在此应用中,最大IC = 150 A,其中IC是通过T1和T2的电流。
高端开关IGBT (T1)被83 μH的电感旁路,T1开关必须关闭。
低端开关IGBT (T2)每500 ms被驱动50 μs。
表7详细列出了去饱和测试设置的功率器件。
图22显示电感L1中电流135 A时的开关动作,图23显示电感L1中电流139 A时的去饱和检测。
 
7.功率器件去饱和测试的测试设置
设备
U1 0 V80 V
C1 900 μF
L1 83 μH

21.系统测试电路的电气设置
 

22.VDC < 68 VfSW = 2 Hz,占空比 = 0.01%
 

23.VDC > 68 VfSW = 2 Hz,占空比 = 0.01%
 
应用原理图

24.ADuM4135栅极驱动器板原理图
 
结论
ADuM4135栅极驱动器具有优异的电流驱动能力,合适的电源范围,还有100 kV/µs的强大CMTI能力,在驱动IGBT时提供优良的性能。
本应用笔记中的测试结果提供的数据表明,ADuM4135评估板是驱动IGBT的高压应用的解决方案。
 
 

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