罗姆携引领世界的碳化硅器件,参展2019 PCIM Asia

日期:2019-07-01

作者:刘洪,PSDC主编

 
在2019 PCIM Asia 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会上,全球知名半导体制造商罗姆展示了面向工业设备和汽车领域的、以世界先进的SiC(碳化硅)元器件为核心的电源解决方案。同时,罗姆工程师在展会现场举办的“电力电子应用论坛”上发表演讲,分享罗姆最新的碳化硅技术成果。除了丰富的产品及解决方案展示外,来自罗姆的专业销售和经验丰富的技术人员助阵现场,与观众进行了互动交流。
 
罗姆首次在国内展出的6英寸SiC沟槽MOSFET晶圆
 
据罗姆在现场解说的工程师介绍,罗姆拥有世界先进的SiC为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和模块技术,在提供电源解决方案的同时,为工业设备和汽车领域的节能化、小型化做出贡献。
此次,针对日益增长的中国市场需求,罗姆重点了展示以下产品和解决方案:全SiC功率模块、1700V高耐压SiC MOSFET、搭载ROHM SiC芯片的SiC MOSFET功率模块、第3代Field Stop Trench IGBT、SiC MOSFET驱动用准谐振AC/DC转换器控制IC、搭载SiC TrenchMOS的5kW绝缘双方向DC/DC转换器等。
 
罗姆SiC功率器件阵容
 
罗姆特别介绍了引以自豪的电动汽车顶级赛事“Formula E”上的SiC应用案例。。自“Formula E”第3赛季起,罗姆成为文图瑞Formula E车队的官方技术合作伙伴。从第4赛季开始,提供集成了晶体管与二极管的“全SiC”功率模块,与未搭得载SiC的第2赛季的逆变器相比,成功实现43%的小型化与6kg的轻量化。在减小体积和重量的同时,效率提升的SiC逆变器能够很好地帮助电动车增加续航能力。
 
逆变器模型对比展示
 
罗姆工程师告诉记者,采用“全SiC”功率模块可以提升效率,同时又缩小体积,会大幅改进赛车的效率和提升空间。在相同的电压下,SiC相比硅内部的电阻更低,这意味同样工艺构造的产品,只改变材料就可以使得内部电阻降得更低,性能也将更好,尺寸更小,可以使最终的产品实现小型化。同时,SiC可以实现更高的频率,开关速度会比硅更快,可以使整体的体积变得更小;SiC功率模块的更强的高温特性效能会更突出。目前,罗姆正在推进相关应用,加速其在电动汽车电机和逆变器中的应用。
罗姆的SiC解决方案具备高耐压、低导通阻抗及绝佳的开关特性。全新的罗姆第三代SiC方案能够进一步确保功率元件拥有耐高温、更低的顺向损失、更高的抗冲击电流能力与高可靠性等特性,适用于并联使用,方便开发人员进行电路与成本优化。
罗姆开发的1700V模块采用新涂覆材料和新工艺方法,成功地预防了绝缘击穿,并抑制了漏电流的增加。另外,在高温高湿反偏试验中,呈现出极高可靠性,超过1,000小时也未发生绝缘击穿现象,从而成功推出了额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块。
 
高耐压 “全SiC”功率模块
 
自2012年开始,罗姆即全球首家开始量产内置功率半导体元件全部由碳化硅组成的全SiC功率模块。其后,产品阵容不断扩大,并生产了1200V、300A的产品,各种产品在众多领域中被广为采用。随着新封装的开发,罗姆继续扩充产品阵容,如今已经拥有覆盖IGBT模块市场主要额定电流范围100A-600A的全SiC模块产品。利用这些模块,可大幅提升普通同等额定电流IGBT模块应用的效率,并可进一步实现小型化。
罗姆利用独有的内部结构并优化散热设计开发出新型封装,从而开发并推出了600A额定电流的全SiC功率模块产品。为此,全SiC功率模块在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。另外,与普通的同等额定电流的IGBT模块相比,Tj=150℃时的开关损耗降低了64%(与市面上销售的IGBT模块产品技术规格书中的数据比较)。由于采用高频驱动,有利于外围元器件的小型化。在20kHz时,散热器所需尺寸可比预期小88%。另外,通过高频驱动,可使用更小体积的外围无源器件,可进一步实现设备的小型化。
 
搭载罗姆SiC MOS 芯片的六合一功率模块及配套驱动板
 
据介绍,罗姆的企业理念是始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品。罗姆以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础,通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制,与客户构筑坚实的合作关系。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求,罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的一条龙体制。罗姆也承诺,积极开展“密切贴近客户”的销售活动,力求向客户提供周到的服务,为中国的节能环保事业做出积极贡献。
 
www.rohm.com.cn
 

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