宜普电源转换公司(EPC)推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管,推动12 V转至1.8 V系统在5 MHz、14 A输出电流实现超过85%效率

日期:2017-06-12

 
 
EPC2111氮化镓半桥功率晶体管帮助系统设计师实现具更高效率的负载点系统应用,14 A12 V1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率,及在10 MHz开关时实现超过80%效率。
 
 
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出30 V的增强型单片式半桥氮化镓晶体管EPC2111)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管形成单个元件,可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件之间的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度,而且同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2111是高频12 V转至负载点DC/DC转换的理想元件。
 
EPC2111半桥器件内的每一个元件的额定电压是30 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是14 mΩ,下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是6 mΩ。EPC2111使用芯片级封装,可以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是3.5 毫米(mm) x 1.5 毫米,功率密度更高。
 
EPC2111的其中一个主要应用是笔记本电脑及平板电脑运算。在这些系统内,功率转换电路的占板面积差不多是50%,而且决定主机板的厚度。氮化镓晶体管的高频性能缩小功率转换所需的占板面积,因此大大缩小下一代移动电话运算系统的尺寸。
 
 
价格及供货
EPC2111单片式半桥元件的价格在一千批量时的单价为$1.62美元,可透过Digikey公司购买,网址为http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en, 或透过威健国际公司购买,网址是http://www.weikeng.com.cn
 
宜普电转换公司
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括 直流-直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、功率逆变器激光雷达(LiDAR)D类音频放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

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